Baseia-Se Em Efeitos De Superfície

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O transistor é um aparelho eletrônico semicondutor utilizado para fornecer um sinal de saída em resposta a um sinal de entrada. Desempenha funções de amplificador, oscilador, comutador ou retificador. O termo “transistor” é a contração em inglês de transfer resistor (“resistor de transferência”).

Atualmente se acha em praticamente todos os aparelhos eletrônicos de uso diário, por exemplo rádios, tvs, reprodutores de áudio e video, relógios de quartzo, pcs, lâmpadas fluorescentes, tomógrafos, telefones smartphones, embora quase sempre dentro dos chamados circuitos integrados. Entretanto, Lilienfeld não publicou nenhum post de investigação sobre isto seus dispositivos ou suas patentes apontar algum modelo específico de um protótipo de serviço. O líder do Grupo de Física do Estado Sólido, William Shockley viu o potencial desse feito e, nos meses seguintes, trabalhou pra aumentar em extenso proporção o conhecimento dos semicondutores.

O termo “transistor” foi sugerido pelo engenheiro norte-americano John R. Pierce, com apoio em dispositivos semicondutores agora conhecidos, dessa maneira, como o termistor e o varistor, e com base pela domínio de transrresistencia que mostrava o aparelho. De acordo com uma biografia de John Bardeen, Shockley havia apresentado que a primeira patente para um transistor nos Laboratórios Bell deveria estar fundamentado no efeito de campo e que ele fora nomeado como o inventor. Tendo redescoberto as patentes de Lilienfeld que ficaram no esquecimento anos atrás, os advogados dos Laboratórios Bell desaconsejaron a proposta de Shockley por causa de a idéia de um transistor de efeito de campo, não era nova.

Em reconhecimento a esse promoção, Shockley, Bardeen e Brattain foram premiados em conjunto com o Prêmio Nobel de Física de 1956 “, por suas pesquisas sobre semicondutores e tua descoberta do efeito transistor”. Em 1948, o transistor de contato foi inventado independentemente pelos físicos alemães Herbert Matarei e Heinrich Welker, enquanto trabalhavam pela Compagnie des Freins et Signaux, uma subsidiária francesa da americana Westinghouse. Matarei tinha experiência prévia no desenvolvimento de retificadores de cristal de silício e de germânio, sempre que trabalhava com Welker no desenvolvimento de um radar alemão no decorrer da Segunda Guerra Mundial. Usando este conhecimento, ele começou a investigar o fenômeno da “interferência” que havia notado em retificadores de germânio no decorrer da disputa.

Meses antes, em nove de maio do mesmo ano, o engenheiro Sidney Darlington solicitou a patente do arranjo de dois transistores hoje em dia chamado de transistor Darlington. O primeiro receptor de rádio para veículo que foi produzido em 1955 na Chrysler e Philco; usou estes transistores em seus circuitos e bem como foram os primeiros adequados para pcs de alta velocidade dessa data. O primeiro transistor de silício operacional foi montado nos Laboratórios Bell, em janeiro de 1954, pelo químico Morris Tanenbaum.

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em 20 de junho de 1955, Tanenbaum e Calvin Fuller, solicitaram uma patente pra um recurso inventado por ambos pra criação de dispositivos semicondutores. O primeiro transistor de silício comercial foi produzido na Texas Instruments, em 1954, graças ao serviço do perito Gordon Teal, que havia trabalhado anteriormente nos Laboratórios Bell e o crescimento de cristais de alta pureza.

também Conhecido como “transistor de ponto de contato”, foi o primeiro transistor qualificado de adquirir ganho, inventado em 1947 por John Bardeen e Walter Brattain. Consiste de uma base de germânio, semicondutor para, deste jeito, melhor famoso que a união de cobre e óxido de cobre, a respeito da qual se apoiam, muito juntas, duas pontas metálicas que constituem o emissor e o coletor. A corrente de apoio é capaz de modular a resistência que se “vê” no coletor, daí o nome de transfer resistor.

baseia-Se em efeitos de superfície, insuficiente conhecidos no seu dia. É árduo de fazer (as pontas são conformes com a mão), sensível (um golpe podia mover as pontas) e barulhento. Contudo, conviveu com o transistor de junção devido à sua maior largura de banda. Atualmente neste instante acabado. O equipamento que representa o modo semicondutor depende destas contaminações, da geometria associada e do tipo de tecnologia de poluição (difusão gasosa, epitaxial, etc.) e do jeito quântico da combinação.